收藏本站
MUBW 25-06 A6
Converter - Brake - Inverter Module (CBI1)
Rectifier
V RRM = 1200V
Brake
V CES = 600 V
Inverter
V CES = 600 V
I FAVM = 11 A
I C25
= 18 A
I C25
= 27.5 A
I FSM
= 250 A
V CE(sat) = 2.1 V
V CE(sat) = 2.1 V
Input Rectifier Bridge D8 - D13
Features
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
q
NPT IGBT technology
Square RBSOA, no latchup
V RRM
1200
V
q
Free wheeling diodes with Hiperfast
and soft recovery behaviour
I F
I FAVM
I FSM
i2t
T VJ
T VJ = 25°C
T VJ = 150°C; T K = 70°C
T VJ = 45°C; t = 10 ms sine 50 Hz
T VJ = 125°C
36
11
250
310
+150
A
A
A
A2s
°C
q
q
q
q
Isolation voltage 2500 V~
Built in temperature sense
High level of integration:
one module for complete drive
system
D irect C opper B onded Al 2 O 3 ceramic
base plate
Applications
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
q
q
AC motor control
AC servo and robot drives
I R
V RRM = 1200 V; T VJ = 25°C
10
μA
Advantages
T VJ = 125°C
3
mA
q
No need of external isolation
V F
R thJC
I F = 36 A
per die
1.15
1.4
1.4
V
°C/W
q
q
Easy to mount with two screws
Package designed for wave
soldering
q
High temperature and power cycling
capability
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
1-8
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MUBW25-12A7 CONVERTER/BRAKE/INVERTER 2.9VCE
MUBW25-12T7 MODULE IGBT CBI E2
MUBW30-06A7 MODULE IGBT CBI E2
MUBW30-12A6 MODULE IGBT CBI E1
MUBW35-06A6 MODULE IGBT CBI E1
MUBW35-12A7 MODULE IGBT CBI E2
MUBW35-12A8 MODULE IGBT CBI E3
MUBW40-12T7 MODULE IGBT CBI E2
相关代理商/技术参数
MUBW25-06A6K 功能描述:分立半导体模块 25 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MUBW25-12A7 功能描述:分立半导体模块 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MUBW25-12T7 功能描述:分立半导体模块 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MUBW30-06A7 功能描述:分立半导体模块 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MUBW30-12A6 功能描述:MODULE IGBT CBI E1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
MUBW30-12A6K 功能描述:分立半导体模块 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MUBW30-12E6K 功能描述:分立半导体模块 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MUBW35-06A6 功能描述:MODULE IGBT CBI E1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B